碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料，憑借其優異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環、滑動軸承等傳統工業領域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。
碳化硅陶瓷的燒結過程非常重要，經過眾多研究者研究和探索工作，先后發展了各種燒結技術，包括反應燒結、常壓燒結、重結晶燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結，以及近二十年來的新型燒結技術，如放電等離子燒結、閃燒、振蕩壓力燒結技術等。
熱壓燒結
美國Norton公司的Alliegro等人研究發明制備碳化硅陶瓷的熱壓燒結法。碳化硅粉末填入模具中，升溫加熱過程中保持一定壓力，最終實現成型和燒結同時完成的燒結方法。熱壓燒結的特點是加熱加壓同時進行，在合適的壓力-溫度-時間工藝條件控制下實現碳化硅的燒結成型。熱壓燒結法存在的弊端是機器設備復雜，模具材料要求高，生產工藝要求嚴，只適合制備簡單形狀的零件，且能源消耗大，生產效率較低，生產成本高。工藝流程如下所示：
碳化硅坯體熱(等靜)壓燒結工藝流程圖
反應燒結
反應燒結碳化硅最早由P.Popper在上世紀50年代提出，其工藝過程是將碳源和碳化硅粉混合，通過注漿成型，干壓或冷等靜壓成型制備出坯體，然后進行滲硅反應，即在真空或惰性氣氛下將坯體加熱至1500℃以上，固態硅熔融成液態硅，通過毛細管作用滲入含氣孔的坯體。液態硅或硅蒸氣與坯體中C之間發生化學反應，原位生成的β-SiC與坯體中原有SiC顆粒結合，形成反應燒結碳化硅陶瓷材料。工藝流程圖如下：
反應燒結碳化硅的優勢是燒結溫度低、生產成本低、材料致密化程度較高，特別是反應燒結過程中幾乎不產生體積收縮，特別適合大尺寸復雜形狀結構件的制備。高溫窯具材料、輻射管、熱交換器、脫硫噴嘴等均是反應燒結碳化硅陶瓷的典型應用。
常壓燒結
1974年由美國GE公司的S.Prochazka等人研制發明。常壓燒結碳化硅是在不施加外部壓力的情況下，即通常在1.01×105Pa壓力和惰性氣氛條件下，通過添加合適的燒結助劑，在2000～2150℃，可對不同形狀和尺寸的樣品進行致密化燒結。碳化硅的常壓燒結可分固相燒結和液相燒結兩種工藝。
固相常壓燒結碳化硅能夠達到較高的致密度3.10～3.15g/cm3，且沒有晶間的玻璃相，擁有出色的高溫力學性能，其使用溫度能達到1600℃。但是須注意固相燒結碳化硅的燒結溫度過高時，可能導致其晶粒過大而降低材料的抗彎強度。
液相常壓燒結碳化硅的出現進一步拓展了碳化硅陶瓷材料的應用范圍。液相燒結中液相的出現通常通過單個組分的熔化、兩個或多個組分的共晶形成。液相的產生提供了高擴散率路徑從而來提高燒結速度，所以液相燒結具有比固態燒結溫度低的優點，且晶粒尺寸小，殘留在晶間的液相將碳化硅陶瓷的斷裂模式從穿晶斷裂改變為沿晶斷裂，從而提高了材料的抗彎強度及斷裂韌性。SiC的常壓燒結技術已趨于成熟，其優勢在于生產成本較低，對產品的形狀尺寸沒有限制，特別是固相燒結SiC陶瓷的致密度高，顯微結構均勻，材料綜合性能優異。工業上應用廣泛的耐磨損耐腐蝕的密封環、滑動軸承等主要為常壓燒結碳化硅。
重結晶燒結
上世紀80年代，Kriegesmann通過注漿成型制備生坯，于2450℃制備出性能優異的重結晶碳化硅陶瓷材料，而后很快由德國FCT公司及美國諾頓(Norton)公司實行大規模生產。重結晶SiC陶瓷材料是不同粒徑的SiC顆粒以一定比列級配后成型為素坯，素坯中細顆粒可均勻分布于粗顆粒之間的孔隙中，然后在2100℃以上的高溫及一定流量的保護氣氛下，SiC細顆粒逐漸蒸發后在粗顆粒接觸點處凝聚淀析，直到細顆粒完全消失。這種蒸發-凝聚機理作用的結果，使得在顆粒的頸部形成新的晶界，從而造成細顆粒被遷移，形成大顆粒之間的連橋結構及具有一定氣孔率的燒結體。
由于重結晶SiC特有的燒結機理和過程，從而具有如下特點:
1）因為燒結過程并沒有發生晶界或體積擴散，而蒸發凝聚和表面擴散并未使SiC顆粒之間距離減小，因此燒結過程中幾乎沒有體積收縮；
2）重結晶SiC素坯經燒結后密度幾乎不增加；
3）重結晶SiC具有非常清晰潔凈的晶界，不含玻璃相和雜質；
4）燒成后的重結晶SiC制品含有10%～20%的殘余氣孔率。
熱等靜壓燒結
熱等靜壓是利用惰性高壓氣體(如氬氣)來促進材料致密化燒結的工藝，碳化硅粉末坯體在真空下被密封在一個玻璃或金屬容器中。在熱等靜壓過程中，樣品被加熱到燒結溫度時，由壓縮機保持數兆帕的初始氣壓。在加熱過程中，氣體壓力逐漸升高，高達200MPa，使用等靜壓氣體壓力來消除材料內部氣孔達到致密化。
放電等離子燒結
放電等離子燒結技術是制備塊體材料的一種全新的粉末冶金技術，它利用高能電火花在較低的溫度和較短的時間內完成試樣的燒結過程，可用于制備金屬材料、陶瓷材料和復合材料。燒結過程中，顆粒間的瞬間放電和高溫等離子體可以破碎或去除粉末顆粒表面雜質（如氧化膜等）和吸附的氣體，活化粉末顆粒表面，提高燒結質量和效率。利用放電等離子燒結技術，對添加Al2O3和Y2O3助燒劑的SiC微粉進行快速燒結，可以得到致密的碳化硅陶瓷。
微波燒結
相對于傳統燒結工藝，微波燒結是利用微波電磁場中材料的介質損耗使材料整體加熱至燒結溫度而實現燒結和致密化。與常規燒結方式相比，微波燒結具有很多優點，如燒結溫度低、加熱速度快、獲得的材料致密性好等，同時微波燒結加速了材料的傳質過程，從而能獲得細晶粒材料。
閃燒
閃燒(FlashSintering，FS)具有能耗低、燒結速度超快等優點，近年來也被應用于碳化硅的燒結研究。閃燒是指在加熱爐中加熱時，通過在樣品上直接施加電壓。一旦達到一定的閾值溫度，電流的突然非線性增加快速產生焦耳熱，樣品可以在幾秒鐘內迅速產生致密化。
振蕩壓力燒結
燒結過程中引入動態壓力有利于打破顆粒中的自鎖和團聚現象，減少氣孔、團聚等缺陷的數量和尺寸，從而獲得高致密度、細晶粒尺寸的均勻顯微結構，制備出高強度高可靠性的結構陶瓷材料。基于這種新的燒結理念，清華大學謝志鵬研究團隊提出在陶瓷粉末燒結過程中引入動態振蕩壓力替代現有的恒定靜態壓力這一思路，并將這個新型的燒結技術命名為振蕩壓力燒結。
振蕩壓力燒結設備示意圖與實物
該燒結技術的優勢在于：
1）可以通過連續振蕩壓力產生的顆粒重排顯著提高燒結前粉體的堆積密度；
2）提供了更大的燒結驅動力，更加有利于促進燒結體內晶粒旋轉和滑移、塑性流動而加快坯體的致密化，尤其是燒結進入后期，通過調節振蕩壓力的頻率和大小，排除晶界處的殘余微小氣孔，進而完全消除材料內部的殘余孔隙。
工業生產中用到較多的反應燒結、常壓燒結和重結晶燒結三種碳化硅陶瓷材料制備方法均有其獨特的優勢，且所制備的碳化硅的顯微結構和性能及應用領域也有不同。
反應燒結的燒結溫度低，生產成本低，制備的產品收縮率極小，致密化程度高，適合大尺寸復雜形狀結構件的制備，反應燒結碳化硅多用于高溫窯具、噴火嘴、熱交換器、光學反射鏡等方面。
常壓燒結的優勢在于生產成本低，對產品的形狀尺寸沒有限制，制備的產品致密度高，顯微結構均勻，材料綜合性能優異，所以更適合制備精密結構件，如各類機械泵中的密封件、滑動軸承及防彈裝甲、光學反射鏡、半導體晶圓夾具等。
重結晶碳化硅擁有純凈的晶相，不含雜質，且有較高的孔隙率、優異的導熱性和抗熱震性，是高溫窯具、熱交換器或燃燒噴嘴的理想候選材料。
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